SIR482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

Pruebe la versión beta

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SIR482DP-T1-GE3
N.º de producto de Digi-Key	SIR482DP-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIR482DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 35 A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) PowerPAK® SO-8
Referencia del cliente
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individual
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Paquete	Cinta y rollo (TR)
Estado del producto	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1575 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIR482

Documentos y medios

Tipo de recurso	Enlace
Hojas de datos	SIR482DP-T1-GE3
Archivo de video	MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/EOL	OBS 11/Feb/2016
Ensamble/origen PCN	Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Hoja de datos HTML	SIR482DP-T1-GE3