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SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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MOSFET - Arreglos 20V 7.7A 1.4W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7983DP-T1-GE3

N.º de producto de DigiKey
SI7983DP-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SI7983DP-T1-GE3
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 20V 7.7A 1.4W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Dos canal P (doble)
Característica de FET
Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
7.7A
Rds On (máx) @ Id, Vgs
17mOhm a 12A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
74nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SI7983
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