IRF730 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

Pruebe la versión beta

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IRF730
N.º de producto de Digi-Key	IRF730IR-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRF730
Descripción	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 400 V 5.5 A (Tc) 74W (Tc) TO-220AB
Referencia del cliente
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individual
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Paquete	Tubo
Estado del producto	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1Ohm a 3.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRF730

Documentos y medios

Tipo de recurso	Enlace
Hojas de datos	IRF730,SiHF730
Archivo de video	MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/EOL	SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015
Hoja de datos HTML	IRF730,SiHF730
Modelos EDA/CAD	IRF730 by Ultra Librarian