Name: TK9A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A65WS5X-ND
Price: 2.9887 EUR
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Carreras profesionales Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

(+34) 960 029 708 spain.support@digikey.com

TK9A65W,S5X
N.º de producto de DigiKey	TK9A65WS5X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK9A65W,S5X
Descripción	MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 9.3A (Ta) 30W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK9A65W,S5X Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	500mOhm a 4.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	700 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK9A65

Precio unitario sin IVA:	2,47000 €
Precio unitario con IVA:	2,98870 €

TK9A65W,S5X