Name: TK34E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK34E10N1S1X-ND
Price: 2.5289 EUR
Availability: InStock

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TK34E10N1,S1X
N.º de producto de DigiKey	TK34E10N1S1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK34E10N1,S1X
Descripción	MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK34E10N1,S1X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2600 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	103W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	TK34E10

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,09000 €	2,09 €
50	1,02460 €	51,23 €
100	0,92060 €	92,06 €
500	0,73848 €	369,24 €
1.000	0,67994 €	679,94 €
2.000	0,63072 €	1.261,44 €
5.000	0,61539 €	3.076,95 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.