Name: RQ3G270BJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND
Price: 2.0328 EUR
Availability: InStock

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RQ3G270BJFRATCB
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3G270BJFRATCBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3G270BJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3G270BJFRATCB
Descripción	PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 27A (Tc) 69W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 27A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 485µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+5V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1810 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN