Name: R8007AND3FRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8007AND3FRATLTR-ND
Price: 6.292 EUR
Availability: InStock

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R8007AND3FRATL
N.º de producto de DigiKey	846-R8007AND3FRATLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-R8007AND3FRATLCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-R8007AND3FRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R8007AND3FRATL
Descripción	MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 7A (Tc) 140W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.6Ohm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	850 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	R8007