NX3008NBKMB315 NXP USA Inc. | Productos de semiconductores discretos

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NX3008NBKMB315
N.º de producto de DigiKey	2156-NX3008NBKMB315-ND
Fabricante	NXP USA Inc.
Número de pieza del fabricante	NX3008NBKMB315
Descripción	NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 530mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) DFN1006B-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	NXP USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	530mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 350mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.68 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	50 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN1006B-3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-101, SOT-883