Name: PMT200EPEX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PMT200EPEXTR-ND
Price: 0.9559 EUR
Availability: InStock

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PMT200EPEX
N.º de producto de DigiKey	1727-PMT200EPEXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PMT200EPEXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PMT200EPEXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMT200EPEX
Descripción	MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 70 V 2.4A (Ta) 800mW (Ta) SOT-223
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	70 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	167mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	822 pF @ 35 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	PMT200