Name: IXTY01N100D-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY01N100D-TRLTR-ND
Price: 5.1304 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTY01N100D-TRL
N.º de producto de DigiKey	238-IXTY01N100D-TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXTY01N100D-TRLCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXTY01N100D-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY01N100D-TRL
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Depletion
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	400mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80Ohm a 50mA, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY01