Name: IPT60R125G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R125G7XTMA1TR-ND
Price: 4.7553 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT60R125G7XTMA1
N.º de producto de DigiKey	IPT60R125G7XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPT60R125G7XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPT60R125G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT60R125G7XTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPT60R125G7XTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 6.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 320µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1080 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	IPT60R125

Precio unitario sin IVA:	3,93000 €
Precio unitario con IVA:	4,75530 €

IPT60R125G7XTMA1