Name: IPDQ60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 10.6964 EUR
Availability: InStock

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IPDQ60R022S7XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPDQ60R022S7XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPDQ60R022S7XTMA1
Descripción	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) PG-HDSOP-22-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPDQ60R022S7XTMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ S7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 23A, 12V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 1.44mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	150 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5639 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	416W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-22-1
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 22-PowerBSOP
Número de producto base	IPDQ60R