DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated | Productos de semiconductores discretos

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DMP58D0LFB-7
N.º de producto de DigiKey	DMP58D0LFB-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP58D0LFB-7DICT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP58D0LFB-7
Descripción	MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 50 V 180mA (Ta) 470mW (Ta) X1-DFN1006-3
Modelos EDA/CAD	DMP58D0LFB-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 250µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	27 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	470mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X1-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-UFDFN
Número de producto base	DMP58