Name: DMP1022UFDEQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP1022UFDEQ-7TR-ND
Price: 1.1132 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

DMP1022UFDEQ-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMP1022UFDEQ-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMP1022UFDEQ-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMP1022UFDEQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP1022UFDEQ-7
Descripción	MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 9.1A (Ta) 660mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2953 pF @ 4 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico E)
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerUDFN
Número de producto base	DMP1022