Placa de evaluación de MOSFET SiC de 650 V

La placa de Wolfspeed permite a los usuarios evaluar los diodos Schottky y los MOSFET de carburo de silicio de 650 V

La placa de evaluación KIT-CRD-3DD065P de Imagen de la placa de evaluación de MOSFET SiC de 650 V de WolfspeedWolfspeed demuestra el rendimiento térmico y de conmutación de los MOSFET de SiC y los diodos Schottky de 650 V. La placa se puede configurar para funcionar como convertidor reductor o elevador en modo síncrono o asíncrono. Los usuarios pueden comenzar a realizar pruebas a los pocos minutos de desembalar el kit.

Características
  • Diseñado para permitir la medición de:
    • Temporización: TDelay-On, TDelay-Off, TRise y TFall
    • Sobrecresta: VDS-Max e ID-Max
    • Velocidad: di/dt y dv/dt
    • Pérdida de conmutación: EON, EOFF y ERR
    • Eficiencia durante el funcionamiento: hasta 2.5 kW
  • Voltaje de entrada/salida de CC: 450 V (máx.)
  • Potencia (máx.): 2,5 kW a 100 kHz (limitado por el inductor integrado, posibles niveles más altos con un inductor alternativo)
  • Compatible con los MOSFET de SiC TO-247-4 y TO-247-3
  • Compatible con diodos Schottky TO-247 y TO-220 SiC
  • Controladores de compuerta dedicados y fuentes de alimentación aisladas para cada MOSFET de SiC C3M
  • Ubicaciones optimizadas para mediciones de sonda de alcance de corriente de drenaje (VGS, VDS e IS)
  • Se admiten topologías reductoras y elevadoras síncronas y asincrónicas
Aplicaciones
  • Fuentes de alimentación industriales de alto rendimiento
  • Fuentes de alimentación para telecomunicaciones y servidores
  • Sistemas de carga de vehículos eléctricos
  • Sistemas de almacenamiento de energía (ESS)
  • Conversores solares (PV)
  • Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
  • Sistemas de gestión de batería (BMS)

650 V SiC MOSFET Evaluation Board

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipoFunciónPieza/CI utilizadoCantidad disponibleVer detalles
650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KITKIT-CRD-3DD065P650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KITAdministración de alimentaciónControlador de compuerta3DD065P20 - InmediataVer detalles

Associated MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTecnologíaVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)Cantidad disponibleVer detalles
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065J650V 120M SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V0Ver detalles
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7C3M0060065JSICFET N-CH 650V 36A TO263-7SiCFET (Carburo de silicio)650 V15V1352 - InmediataVer detalles
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFETC3M0025065KGEN 3 650V 25 M SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V0Ver detalles
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3C3M0015065DSICFET N-CH 650V 120A TO247-3SiCFET (Carburo de silicio)650 V15V498 - InmediataVer detalles
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065K650V 120M SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V893 - InmediataVer detalles
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065D650V 120M SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V430 - InmediataVer detalles
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3C3M0060065DSICFET N-CH 650V 37A TO247-3SiCFET (Carburo de silicio)650 V15V1304 - InmediataVer detalles
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFETC3M0025065DGEN 3 650V 25 M SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V743 - InmediataVer detalles
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4LC3M0015065KSICFET N-CH 650V 120A TO247-4LSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V0Ver detalles
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4LC3M0060065KSICFET N-CH 650V 37A TO247-4LSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V0Ver detalles
GEN 3 650V 45 M SIC MOSFETC3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V742 - InmediataVer detalles
GEN 3 650V 49A SIC MOSFETC3M0045065KGEN 3 650V 49A SIC MOSFETSiCFET (Carburo de silicio)650 V15V0Ver detalles
Publicado: 2021-07-06