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Fabricante Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo de transistor Frecuencia Ganancia Voltaje - Prueba Corriente nominal Cifra de ruido Corriente de prueba Alimentación - Salida Voltaje nominal Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo de transistor Frecuencia Ganancia Voltaje - Prueba Corriente nominal Cifra de ruido Corriente de prueba Alimentación - Salida Voltaje nominal Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
MMBFJ310 Datasheet MMBFJ310 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ310TR-ND IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 18.000 - Inmediata
0,10516 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 450 MHz 12 dB 10 V 60 mA 3 dB 10 mA
-
25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ310 Datasheet MMBFJ310 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ310CT-ND IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 18.701 - Inmediata
0,38000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 450 MHz 12 dB 10 V 60 mA 3 dB 10 mA
-
25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ310 Datasheet MMBFJ310 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ310DKR-ND IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 18.701 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 450 MHz 12 dB 10 V 60 mA 3 dB 10 mA
-
25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
2SK209-BL(TE85L,F) Datasheet 2SK209-BL(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL(TE85LF)TR-ND MOSFET N-CH S-MINI FET 18.000 - Inmediata
0,14282 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 1 kHz
-
10 V
-
1 dB 500 µA
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-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-59
2SK209-BL(TE85L,F) Datasheet 2SK209-BL(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL(TE85LF)CT-ND MOSFET N-CH S-MINI FET 20.486 - Inmediata
0,45000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 1 kHz
-
10 V
-
1 dB 500 µA
-
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-59
2SK209-BL(TE85L,F) Datasheet 2SK209-BL(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL(TE85LF)DKR-ND MOSFET N-CH S-MINI FET 20.486 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 1 kHz
-
10 V
-
1 dB 500 µA
-
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-59
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND JFET SS N-CHAN 25V SOT23 18.000 - Inmediata
0,15412 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
-
60 mA
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25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND JFET SS N-CHAN 25V SOT23 20.804 - Inmediata
0,45000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
-
60 mA
-
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25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND JFET SS N-CHAN 25V SOT23 20.804 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
-
60 mA
-
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25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ309LT1G Datasheet MMBFJ309LT1G - ON Semiconductor MMBFJ309LT1GOSTR-ND JFET SS N-CHAN 25V SOT23 9.000 - Inmediata
18.000 - Stock en fábrica
?
0,15412 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
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30 mA
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25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ309LT1G Datasheet MMBFJ309LT1G - ON Semiconductor MMBFJ309LT1GOSCT-ND JFET SS N-CHAN 25V SOT23 10.932 - Inmediata
18.000 - Stock en fábrica
?
0,45000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
-
30 mA
-
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25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ309LT1G Datasheet MMBFJ309LT1G - ON Semiconductor MMBFJ309LT1GOSDKR-ND JFET SS N-CHAN 25V SOT23 10.932 - Inmediata
18.000 - Stock en fábrica
?
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
-
30 mA
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25 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
BF862,215 Datasheet BF862,215 - NXP USA Inc. 568-1968-2-ND JFET N-CHAN 20V SOT-23 3.000 - Inmediata
0,17852 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
BF862,235 Datasheet BF862,235 - NXP USA Inc. BF862,235-ND JFET N-CH 20V 25MA SOT23 0
Plazo estándar 8 semanas
0,15549 10.000
Agotado
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Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
BF862,215 Datasheet BF862,215 - NXP USA Inc. 568-1968-1-ND JFET N-CHAN 20V SOT-23 4.676 - Inmediata
0,52000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
-
-
25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
BF862,215 Datasheet BF862,215 - NXP USA Inc. 568-1968-6-ND JFET N-CHAN 20V SOT-23 4.676 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
BF256B Datasheet BF256B - Fairchild/ON Semiconductor BF256BFS-ND IC AMP RF N-CH 30V TO-92 7.747 - Inmediata
90.000 - Stock en fábrica
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0,45000 1 Granel?
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Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
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13 mA
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30 V TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92-3
ATF-35143-TR1G Datasheet ATF-35143-TR1G - Broadcom Limited 516-1784-2-ND FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 3.000 - Inmediata
0,72690 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo pHEMT FET 2 GHz 18 dB 2 V 80 mA 0.4 dB 15 mA 10 dBm 5.5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-35143-TR1G Datasheet ATF-35143-TR1G - Broadcom Limited 516-1784-1-ND FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 15.721 - Inmediata
1,58000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo pHEMT FET 2 GHz 18 dB 2 V 80 mA 0.4 dB 15 mA 10 dBm 5.5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-35143-TR1G Datasheet ATF-35143-TR1G - Broadcom Limited 516-1784-6-ND FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 15.721 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo pHEMT FET 2 GHz 18 dB 2 V 80 mA 0.4 dB 15 mA 10 dBm 5.5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
2N3819 PBFREE Datasheet 2N3819 PBFREE - Central Semiconductor Corp 2N3819 PBFREE-ND TRANS JFET N-CH 25V 10MA TO-92 2.570 - Inmediata
0,87000 1 Granel?
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Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N
-
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25 V TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92
2N5486 Datasheet 2N5486 - Central Semiconductor Corp 2N5486CS-ND TRANS JFET N-CH 25V 30MA TO-92 1.566 - Inmediata
85.000 - Stock en fábrica
?
1,03000 1 Granel?
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Activo Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N 400 MHz
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15 V 30 mA 4 dB 4 mA
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25 V TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 5.000 - Inmediata
1,55737 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo LDMOS 870 MHz 17 dB 13.6 V 2 A
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50 mA 4 W 40 V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 6.168 - Inmediata
3,20000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo LDMOS 870 MHz 17 dB 13.6 V 2 A
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50 mA 4 W 40 V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 6.168 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo LDMOS 870 MHz 17 dB 13.6 V 2 A
-
50 mA 4 W 40 V TO-243AA SOT-89
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