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Fabricante Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Configuración Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Potencia máxima Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Corriente de corte del colector (máx.) Capacitancia de entrada (Cies) a Vce Entrada Termistor NTC Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Configuración Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Potencia máxima Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Corriente de corte del colector (máx.) Capacitancia de entrada (Cies) a Vce Entrada Termistor NTC Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 184 - Inmediata
28,95000 1
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Activo NPT Simple 1200 V 100 A 450 W 2.8 V a 15 V, 55 A 3.8 mA 3.3 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 806 - Inmediata
41,68000 1 POWER MOS 7® Activo PT Simple 1200 V 128 A 543 W 3.9 V a 15 V, 75 A 1.25 mA 7.04 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 111 - Inmediata
49,68000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 215 A 625 W 2.1 V a 15 V, 150 A 300 µA 9.5 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 52 - Inmediata
85,38000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200 V 200 A 625 W 1.7 V a 15 V, 150 A (típico) 1 mA 10.5 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 125°C (TJ) Montaje de chasis Módulo S-3 S3
APTGT600A60G Datasheet APTGT600A60G - Microsemi Corporation APTGT600A60G-ND POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 159 - Inmediata
219,94000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 600 V 700 A 2300 W 1.8 V a 15 V, 600 A 750 µA 49 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis SP6 SP6
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 66 - Inmediata
228,48000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1700 V 1100 A 2900 W 2.4 V a 15 V, 600 A 1 mA 51 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis D4 D4
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 241 - Inmediata
26,37000 1 PowerMESH™ Activo
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Simple 600 V 200 A 600 W 1.6 V a 15 V, 100 A 500 µA 1.56 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP
IXYN82N120C3H1 Datasheet IXYN82N120C3H1 - IXYS IXYN82N120C3H1-ND IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B 122 - Inmediata
35,84000 1 XPT™, GenX3™ Activo
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Simple 1200 V 105 A 500 W 3.2 V a 15 V, 82 A 50 µA 4060 pF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
MG06150S-BN4MM Datasheet MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6492-ND IGBT 600V 225A 500W PKG S 102 - Inmediata
78,59000 1
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Activo
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Medio puente 600 V 225 A 500 W 1.45 V a 15 V, 150 A (típico) 1 mA 9.3 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo S-3 S3
APTGF75H120TG Datasheet APTGF75H120TG - Microsemi Corporation APTGF75H120TG-ND POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 28 - Inmediata
125,16000 1
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No para diseños nuevos NPT Inversor de puente completo 1200 V 100 A 500 W 3.7 V a 15 V, 75 A 250 µA 5.1 nF a 25 V Estándar
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Montaje de chasis SP4 SP4
MG12450WB-BN2MM Datasheet MG12450WB-BN2MM - Littelfuse Inc. F6488-ND IGBT 1200V 600A 1950W PKG WB 29 - Inmediata
189,89000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200 V 600 A 1950 W 1.7 V a 15 V, 450 A (típico) 1 mA 32 nF a 25 V Estándar -40°C ~ 125°C (TJ) Montaje de chasis Módulo WB
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - Inmediata
30,96000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 124 A 379 W 2.1 V a 15 V, 75 A 200 µA 4.8 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 351 - Inmediata
31,91000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 600 V 283 A 682 W 1.85 V a 15 V, 200 A 25 µA 14.1 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
APT75GP120J Datasheet APT75GP120J - Microsemi Corporation APT75GP120J-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 135 - Inmediata
38,77000 1 POWER MOS 7® Activo PT Simple 1200 V 128 A 543 W 3.9 V a 15 V, 75 A 1 mA 7.04 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 535 - Inmediata
42,61000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 140 A 480 W 2.1 V a 15 V, 100 A 5 mA 7.2 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP SOT-227
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 208 - Inmediata
49,04000 1 Thunderbolt IGBT® Activo NPT Simple 1200 V 123 A 570 W 3.7 V a 15 V, 100 A 200 µA 7.85 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
APTGT50X60T3G Datasheet APTGT50X60T3G - Microsemi Corporation APTGT50X60T3G-ND IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 129 - Inmediata
69,63000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 600 V 80 A 176 W 1.9 V a 15 V, 50 A 250 µA 3.15 nF a 25 V Estándar -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis SP3 SP3
APTGFQ25H120T2G Datasheet APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G-ND IGBT 1200V 40A 227W MODULE 161 - Inmediata
70,11000 1
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No para diseños nuevos NPT y tope de campo Puente completo 1200 V 40 A 227 W 2.1 V a 15 V, 25 A 250 µA 2.02 nF a 25 V Estándar
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Orificio pasante SP2 SP2
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 177 - Inmediata
74,27000 1
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Activo
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Simple 600 V 400 A 961 W 1.66 V a 15 V, 200 A 1 mA 16.25 nF a 30 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4 SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Datasheet APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3-ND IGBT 1200V 149A 625W SOT227 31 - Inmediata
77,56000 1
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Activo NPT Simple 1200 V 149 A 625 W 3 V a 15 V, 100 A 350 µA 7.08 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 92 - Inmediata
88,88000 1
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Activo
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Medio puente 600 V 300 A 600 W 1.45 V a 15 V, 200 A (típico) 1 mA 13 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo S-3 S3
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 56 - Inmediata
110,44000 1
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Activo
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Medio puente 1200 V 210 A 1100 W 1.8 V a 15 V, 150 A (típico) 1 mA 11 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo D3
MG12200D-BA1MM Datasheet MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6481-ND IGBT 1200V 300A 1400W PKG D 44 - Inmediata
117,59000 1
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Activo
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Medio puente 1200 V 300 A 1400 W 1.8 V a 15 V, 200 A (típico) 1 mA 14.9 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo D3
APTGL475U120D4G Datasheet APTGL475U120D4G - Microsemi Corporation APTGL475U120D4G-ND IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 64 - Inmediata
153,85000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 610 A 2082 W 2.2 V a 15 V, 400 A 4 mA 24.6 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis D4 D4
APTGL475U120DAG Datasheet APTGL475U120DAG - Microsemi Corporation APTGL475U120DAG-ND POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 41 - Inmediata
155,27000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 610 A 2307 W 2.2 V a 15 V, 400 A 4 mA 24.6 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis SP6 SP6
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