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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP75P03-07-E3-ND
Cantidad disponible 3.628
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP75P03-07-E3

Descripción MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
Descripción ampliada P-Channel 30V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUB/SUP75P03-07
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 187 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SUP75P0307E3

00:31:33 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2,58000 2,58
10 2,31100 23,11
25 2,18000 54,50
100 1,85730 185,73
250 1,74396 435,99
500 1,52596 762,98
1.000 1,26437 1.264,37
2.500 1,17718 2.942,94
5.000 1,13358 5.667,89

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