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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB33N60E-GE3-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB33N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Descripción ampliada N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SiHB33N60E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3508pF a 100V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 16.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1.000
Otros nombres SIHB33N60EGE3

04:56:59 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5,49000 5,49
10 4,93300 49,33
25 4,66360 116,59
100 4,04160 404,16
250 3,83428 958,57
500 3,44050 1.720,25
1.000 2,90163 2.901,63
2.500 2,75655 6.891,37

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