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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLD120PBF-ND
Cantidad disponible 2.611
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLD120PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLD120
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.3 A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270 mOhm a 780 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 12 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 490 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRLD120PBF

10:05:07 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,68000 0,68
10 0,59400 5,94
25 0,55840 13,96
100 0,45570 45,57
250 0,42332 105,83
500 0,36026 180,13
1.000 0,28821 288,21
2.500 0,26119 652,98
5.000 0,24318 1.215,89

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