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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLD024PBF-ND
Cantidad disponible 9.250
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLD024PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLD024
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 1.5 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 18 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 870 pF a 25 V
Potencia máxima 1.3 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRLD024PBF

18:04:47 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,90000 0,90
10 0,79900 7,99
25 0,75800 18,95
100 0,62250 62,25
250 0,58192 145,48
500 0,51428 257,14
1.000 0,40600 406,00
2.500 0,37894 947,34
5.000 0,35999 1.799,95

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