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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF840APBF-ND
Cantidad disponible 15.782
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF840APBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 500V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF840APBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1018 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850 mOhm a 4.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF840APBF

12:24:23 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,36000 1,36
10 1,22000 12,20
25 1,15800 28,95
100 0,95120 95,12
250 0,88920 222,30
500 0,78582 392,91
1.000 0,62038 620,38
2.500 0,57902 1.447,55
5.000 0,55007 2.750,34

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