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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF730PBF-ND
Cantidad disponible 5.034
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF730PBF

Descripción MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 400V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos Packaging Information
IRF730,SiHF730
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 400 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 700 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 74 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1 Ohm a 3.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF730PBF

13:41:35 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,17000 1,17
10 1,05000 10,50
25 0,99640 24,91
100 0,81840 81,84
250 0,76504 191,26
500 0,67610 338,05
1.000 0,53377 533,77
2.500 0,49818 1.245,45
5.000 0,47327 2.366,34

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