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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF610PBF-ND
Cantidad disponible 2.602
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF610PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF610PBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 140 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 36 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 2 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF610PBF

14:42:27 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,60000 0,60
10 0,53200 5,32
25 0,50000 12,50
100 0,40790 40,79
250 0,37892 94,73
500 0,32250 161,25
1.000 0,25799 257,99
2.500 0,23381 584,52
5.000 0,21768 1.088,41

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