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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF530PBF-ND
Cantidad disponible 3.712
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF530PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF530PBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 670 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 88 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 8.4 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF530PBF

02:29:40 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,91000 0,91
10 0,81300 8,13
25 0,77120 19,28
100 0,63360 63,36
250 0,59224 148,06
500 0,52338 261,69
1.000 0,41319 413,19
2.500 0,38565 964,12
5.000 0,36637 1.831,83

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