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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK55S10N1LQCT-ND
Cantidad disponible 1.368
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK55S10N1,LQ

Descripción MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Descripción ampliada N-Channel 100V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK55S10N1
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Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 55 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 500 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3280 pF a 10 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 157 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.5 mOhm a 27.5 A, 10 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TK55S10N1LQCT

15:10:04 3/1/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2,62000 2,62
10 2,37100 23,71
25 2,11720 52,93
100 1,90550 190,55
250 1,69380 423,45
500 1,48206 741,03
1.000 1,22799 1.227,99

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TK55S10N1LQTR-ND
  • Cantidad mínima: 2.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 1,09778
  • Digi-Reel® ? : TK55S10N1LQDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1.368 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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