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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SK2009TE85LFCT-ND
Cantidad disponible 2.621
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2SK2009TE85LF

Descripción MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Descripción ampliada N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos 2SK2009
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 70 pF a 3 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 mW (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 50 MA, 2.5 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-59-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2SK2009TE85LFCT

00:57:07 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,55000 0,55
10 0,46600 4,66
25 0,40760 10,19
100 0,34910 34,91
250 0,30252 75,63
500 0,25598 127,99
1.000 0,19780 197,80

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 2SK2009TE85LFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,17510
  • Digi-Reel® ? : 2SK2009TE85LFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2.621 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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