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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12344-3-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STQ2HNK60ZR-AP

Descripción MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Descripción ampliada N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx2HNK60Z(x)
Otros documentos relacionados STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Cinta y caja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 500 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2.000
Otros nombres 497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP

17:48:31 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
2.000 0,29320 586,39
6.000 0,27298 1.637,86
10.000 0,26287 2.628,66

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