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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14960-ND
Cantidad disponible 394
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT30N120

Descripción MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.6 V a 1 mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 105 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700 pF a 400 V
Vgs (máx.) +25 V, -10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 270 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 20 A, 20 V
Temperatura de operación -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-14960

17:51:24 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 26,59000 26,59
10 24,52400 245,24
100 20,94210 2.094,21

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