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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2450KEC-ND
Cantidad disponible 346
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2450KEC

Descripción MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2450KE
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 463 pF a 800 V
Vgs (máx.) +22 V, -6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 85 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 585 mOhm a 3 A, 18 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 360

01:57:15 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 8,25000 8,25
10 7,42600 74,26
25 6,76640 169,16
100 6,10630 610,63
250 5,61116 1.402,79
500 5,11608 2.558,04
1.000 4,45594 4.455,94

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