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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2450KEC-ND
Cantidad disponible 777
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2450KEC

Descripción MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2450KE
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 585 mOhm a 3 A, 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 27 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 463 pF a 800 V
Potencia máxima 85 W
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
 
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  • Precio unitario 0,90000
  • A105870-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 360

04:47:25 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,61000 4,61
100 4,23970 423,97

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