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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2160KEC-ND
Cantidad disponible 1.611
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2160KEC

Descripción MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2160KE
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 208 mOhm a 7 A, 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 62 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1200 pF a 800 V
Potencia máxima 165 W
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 360

06:15:35 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9,17000 9,17
100 8,42850 842,85

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