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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2080KEC-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2080KEC

Descripción MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2080KE
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Categorías
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 4.4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2080 pF a 800 V
Vgs (máx.) +22 V, -6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 262 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 117 mOhm a 10 A, 18 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 360

00:08:29 3/30/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 23,18000 23,18
10 21,43600 214,36
25 19,69840 492,46
100 18,30770 1.830,77
250 16,80136 4.200,34

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