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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTY08N100D2-ND
Cantidad disponible 2.139
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTY08N100D2

Descripción MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(Y,A,P)08N100D2
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.6 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21 Ohm a 400 mA, 0 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 70

10:19:26 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2,32000 2,32
10 2,09100 20,91
25 1,86720 46,68
100 1,68050 168,05
250 1,49376 373,44
500 1,30704 653,52
1.000 1,08298 1.082,98
2.500 1,00829 2.520,72
5.000 0,97094 4.854,72

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