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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTY01N100-ND
Cantidad disponible 1.978
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTY01N100

Descripción MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(U,Y)01N100
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 25 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.9 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 54 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80 Ohm a 100 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
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  • Precio unitario 2,32000
  • IXTY01N100D-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 70
Otros nombres 490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND

13:38:24 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,79000 1,79
10 1,62100 16,21
25 1,44720 36,18
100 1,30240 130,24
250 1,15768 289,42
500 1,01296 506,48
1.000 0,83931 839,31
2.500 0,78142 1.953,56
5.000 0,75248 3.762,41

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