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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTT2N170D2-ND
Cantidad disponible 325
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTT2N170D2

Descripción MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(T,H)2N170D2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Modo de exclusión
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1700 V (1.7 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tj)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.5 Ohm a 1 A, 0 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 110 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3650 pF a 25 V
Potencia máxima 568 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-268-2, D³Pak (2 conductores + lengüeta), TO-268AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

05:53:47 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 17,98000 17,98
10 16,35300 163,53
25 15,12680 378,17
100 13,90040 1.390,04
250 12,67388 3.168,47
500 11,85618 5.928,09

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