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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN200N10L2-ND
Cantidad disponible 13
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTN200N10L2

Descripción MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
Descripción ampliada N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXTN200N10L2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie Linear L2™
Empaquetado ? -
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 178 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 3 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 540 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 23000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 830 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 624413
Q5211084

19:45:02 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 35,90000 35,90
10 33,20400 332,04
25 30,51200 762,80
100 28,35830 2.835,83
250 26,02496 6.506,24

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