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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH200N10T-ND
Cantidad disponible 223
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTH200N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,Q)200N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.5 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 152 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 9400 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
 
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  • Precio unitario 5,31000
  • IXTQ200N10T-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

02:14:44 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5,47000 5,47
10 4,88100 48,81
25 4,39240 109,81
100 4,00200 400,20
250 3,61164 902,91
500 3,24068 1.620,34
1.000 2,73310 2.733,10
2.500 2,59645 6.491,12

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