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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFX120N65X2-ND
Cantidad disponible 199
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFX120N65X2

Descripción MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Descripción ampliada N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)120N65X2
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15500 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

05:40:19 3/30/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 17,96000 17,96
10 16,33500 163,35
25 15,11000 377,75
100 13,88470 1.388,47
250 12,65960 3.164,90

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