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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN38N100Q2-ND
Cantidad disponible 335
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN38N100Q2

Descripción MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 38A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN38N100Q2
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Categories
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 250 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7200 pF a 25 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm a 19 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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  • Precio unitario 19,70000
  • DSEI2X61-12B-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

02:33:53 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 48,49000 48,49
10 45,34700 453,47
25 41,93960 1.048,49
100 39,31820 3.931,82
250 36,69700 9.174,25

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