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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN360N10T-ND
Cantidad disponible 428
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN360N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN360N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 360 A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 180 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 505 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 36000 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

20:35:15 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 19,80000 19,80
10 17,99400 179,94
25 16,64480 416,12
100 15,29520 1.529,52
250 13,94560 3.486,40
500 13,04590 6.522,95

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