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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN360N10T-ND
Cantidad disponible 855
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN360N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Descripción ampliada N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN360N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 360 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 505 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 36000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 830 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 180 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

10:54:09 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 20,15000 20,15
10 18,31300 183,13
25 16,93960 423,49
100 15,56600 1.556,60
250 14,19256 3.548,14
500 13,27692 6.638,46

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