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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN200N07-ND
Cantidad disponible 406
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN200N07

Descripción MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
Descripción ampliada N-Channel 70V 200A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN200N06/7
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 70 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 480 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 mOhm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

02:25:47 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 24,29000 24,29
10 22,47100 224,71
25 20,64880 516,22
100 19,19090 1.919,09
250 17,61192 4.402,98
500 16,76166 8.380,83

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