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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN180N10-ND
Cantidad disponible 3.351
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN180N10

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Descripción ampliada N-Channel 100V 180A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN180N10
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 360 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 600 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 479462

03:04:54 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 25,34000 25,34
10 23,43800 234,38
25 21,53760 538,44
100 20,01690 2.001,69
250 18,37000 4.592,50
500 17,48316 8.741,58

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