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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN110N60P3-ND
Cantidad disponible 270
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN110N60P3

Descripción MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN110N60P3
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, Polar3™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 56 mOhm a 55 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 245 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 18000 pF a 25 V
Potencia máxima 1500 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 625715

22:52:05 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 24,45000 24,45
10 22,61200 226,12
25 20,77840 519,46
100 19,31170 1.931,17
250 17,72272 4.430,68
500 16,86716 8.433,58

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