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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK80N60P3-ND
Cantidad disponible 202
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFK80N60P3

Descripción MOSFET N-CH 600V 80A TO264
Descripción ampliada N-Channel 600V 80A (Tc) 1300W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFK-FX80N60P3
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, Polar3™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

10:53:25 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12,34000 12,34
10 11,22000 112,20
25 10,37880 259,47
100 9,53730 953,73
250 8,69580 2.173,95
500 8,13478 4.067,39

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