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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH320N10T2-ND
Cantidad disponible 77
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFH320N10T2

Descripción MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 100V 320A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,T)320N10T2
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, TrenchT2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 320 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 430 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 26000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1000 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

20:01:41 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12,14000 12,14
10 10,92800 109,28
25 9,95640 248,91
100 8,98530 898,53
250 8,25672 2.064,18
500 7,52818 3.764,09

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