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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ22DN20NS3GCT-ND
Cantidad disponible 16.824
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BSZ22DN20NS3 G

Descripción MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Descripción ampliada N-Channel 200V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BSZ22DN20NS3G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 13 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.6 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 430 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 34 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 225 mOhm a 3.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ22DN20NS3GCT

23:34:43 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,98000 0,98
10 0,87200 8,72
100 0,68010 68,01
500 0,56182 280,91
1.000 0,44355 443,55

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ22DN20NS3GTR-ND
  • Cantidad mínima: 5.000
  • Cantidad disponible: 15.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,38182
  • Digi-Reel® ? : BSZ22DN20NS3GDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16.824 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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