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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC900N20NS3GCT-ND
Cantidad disponible 5.658
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BSC900N20NS3 G

Descripción MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Descripción ampliada N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BSC900N20NS3G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 30 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.6 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 920 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 62.5 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 7.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC900N20NS3GCT

19:41:40 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,57000 1,57
10 1,40400 14,04
100 1,09460 109,46
500 0,90422 452,11
1.000 0,71386 713,86

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC900N20NS3GTR-ND
  • Cantidad mínima: 5.000
  • Cantidad disponible: 5.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,61452
  • Digi-Reel® ? : BSC900N20NS3GDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.658 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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