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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RFD3055LE-ND
Cantidad disponible 8.048
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 30.600
Fabricante

Número de pieza del fabricante

RFD3055LE

Descripción MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos RFD3055LE/LESM, RFP3055LE
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.3 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±16 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 38 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 107 mOhm a 8 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75

22:46:31 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,75000 0,75
10 0,65600 6,56
100 0,50310 50,31
500 0,39766 198,83
1.000 0,31814 318,14

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