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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL640A-ND
Cantidad disponible 68.210
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL640A

Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 200V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL640A
TO220B03 Pkg Drawing
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1705 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 9 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

16:39:36 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,34000 1,34
10 1,19300 11,93
100 0,93020 93,02
500 0,76842 384,21
1.000 0,60665 606,65

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