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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQU13N10LTU-ND
Cantidad disponible 4.535
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQU13N10LTU

Descripción MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQD13N10L, FQU13N10L
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 520 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 70

18:38:11 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,66000 0,66
10 0,58200 5,82
100 0,44590 44,59
500 0,35248 176,24
1.000 0,28197 281,97

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